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下及图5 极化前后的表面电流和光伏性能a-c）标件和d-f）HMFE掺杂的钙钛矿薄膜在0-200mV偏置电位下的c-AFM图像。【图文导读】图1激子离解的器件架构和示意图a）对照组和b）HMFE掺杂的钙钛矿器件结构、年薪SEM截面和激子分离示意图。

在这一过程中，百万由内部和表面缺陷（特别是深能级缺陷）引起的钙钛矿层的非辐射复合可能成为严重的复合中心，百万对光生电子和空穴不利，导致明显的能量损失。在HMFE自发极化电场作用下，最顺HMFE掺杂的钙钛矿薄膜显示出更有效的电荷分离。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，利的路径投稿邮箱[email protected]。

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